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     【本网】东芝开发出了用于EUV（Extreme Ultraviolet）曝光的负型低分子光刻胶（Resist），并公布了对线宽/线间隔（L/S）为22nm的图案进行解像的成果。在低分子类光刻胶弱项的刻线边缘粗糙度（Line Edge Roughness，LER）和耐蚀刻性能（Etching Resistance）方面，新材料表现出了高于普通高分子型光刻胶的特性。
　　东芝计划将EUV曝光用于NAND型闪存的量产中。估计量产开始时间在2012年以后。该公司设想今后进一步提高开发出的光刻胶的特性，量产时将接受光刻胶厂商的供应。东芝预定11月19日在纳米技术相关国际会议“MNC 2009（22nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference）”（11月17～19日举行）上，发布此次技术的详细内容。
　　开发要点提到了以下两点：（1）新的低分子材料，（2）以适合的比例构成低分子材料与感光剂等。
　　（1）中的低分子材料是拥有分子尺寸较小、原子紧密结合成星形的刚硬结构的三聚茚（Truxene）。该公司确立了专门将三聚茚用作光刻胶材料的基本分子设计，已经证实可利用正型光刻胶形成L/S为50nm的图案。此次，采用以该三聚茚为基础设计的“三聚茚衍生物”，开发出了可适用于20nm～29nm图案的负型光刻胶。
　　（2）在三聚茚衍生物和交联剂的含有比例以3比1构成时，负型光刻胶的特性得到优化。交联剂是分子结合所需的材料，包括受到光照射后促进光刻胶反应的光酸产生剂（PAG：Photo Acid Generator）。
　　以往的高分子型光刻胶存在30nm以下难以实现细微化的问题。原因是分子尺寸较大，分子链容易缠绕在一起形成较大的块状。在通过EUV曝光形成的20nm～29nm的图案中，线宽粗糙度（LWR：Line Width Roughness）为3σ、2nm多。这是由于此处不能忽视达到数十nm的高分子颗粒的尺寸。